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碳化硅單晶材料
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碳化硅單晶襯底
產(chǎn)品規(guī)格：6英寸
產(chǎn)品類型：導(dǎo)電型單晶襯底
產(chǎn)品優(yōu)勢：禁帶寬度大、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩(wěn)定性好、電子飽和漂移速度高等優(yōu)點。
應(yīng)用領(lǐng)域：主要應(yīng)用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導(dǎo)體器件等。
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碳化硅外延片
產(chǎn)品規(guī)格：4-6英寸
產(chǎn)品類型：同質(zhì)外延片
產(chǎn)品特點：禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、高熱導(dǎo)率、高電子飽和和遷移速度等。
應(yīng)用領(lǐng)域：主要應(yīng)用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導(dǎo)體器件等。
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碳化硅功率器件
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碳化硅肖特基二極管
額定電壓：650-1200V
額定電流：2-60A
產(chǎn)品特點：碳化硅肖特基二極管相比普通的PN結(jié)勢壘二極管具有導(dǎo)通壓降低，開關(guān)速度快、0反向恢復(fù)、耐高溫的優(yōu)點。
應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅肖特基二極管可應(yīng)用于光伏逆變器、高頻電源、高性能服務(wù)器電源、充電樁充電模塊等領(lǐng)域。
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碳化硅場效應(yīng)晶體管
額定電壓：650-1200V
額定電流：30-100A
產(chǎn)品特點：碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC MOSFET）具有更低的導(dǎo)通電阻，更高的工作頻率，開關(guān)損耗大幅降低，SiC MOSFET與Si IGBT器件相比可降低開關(guān)損耗70%，高溫特性好、穩(wěn)定性高。
應(yīng)用領(lǐng)域：SiC MOSFET可應(yīng)用于開關(guān)電源、光伏逆變器、充電樁充電模塊、新能源汽車OBC、DC/DC等。
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碳化硅功率模塊
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全碳化硅功率模塊
額定電壓：650-1200V
額定電流：100-600A
產(chǎn)品特點：全碳化硅功率模塊與傳統(tǒng)硅基IGBT相比，全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率，開關(guān)損耗可降低70%以上。
應(yīng)用領(lǐng)域：全碳化硅功率模塊可應(yīng)用于軌道交通逆變牽引、新能源汽車電機控制器、光伏逆變器、ups電源、智能電網(wǎng)等。
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混合碳化硅功率模塊
額定電壓：1200V
額定電流：300A、450A、600A
產(chǎn)品特點：混合碳化硅功率模塊與傳統(tǒng)硅模塊相比，碳化硅混合模塊具有更高的功率密度、更低的開關(guān)損耗以及更快的工作頻率。
應(yīng)用領(lǐng)域：混合碳化硅功率模塊可應(yīng)用于光伏發(fā)電、新能源汽車、軌道交通、不間斷電源、智能電網(wǎng)等。
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